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台DRAM厂拼增产抢回市占率惟制程进度仍落后

发布时间:2020-07-01 01:14:00 阅读: 来源:镍合金厂家

经历上一波DRAM产业不景气,台系DRAM厂伤得很重,好不容易等到价格反弹到现金成本之上,开始全力扩产找回过去失落的市占率,惟即使目前台系DRAM厂再努力,也只能用落后的制程来追赶,传出三星电子 (Samsung Electronics)采用40奈米制程的DDR3芯片已开始大量投产,领先台厂2个世代之多,台系DRAM厂在追赶的进度上,再度显得相当吃力。

本文引用地址:就像过去每次的景气循环一样,当走出谷底的初期,国际大厂总是早一步获利,台厂缓步跟随在后,这次也不例外,台厂再度过年初的财务危机之后,随著DRAM价格开始上扬,台厂好不容易营运止血,开始走入现金流入,因此纷纷大量增加投片量。

南亚科和华亚科全力转至50奈米制程,速度居于台厂之冠,惟相较三星仍是落后。

近期市场传出,三星在50奈米制程世代领先后,目前已开始以40奈米制程的DDR3芯片放量投片,领先台系厂商2个世代之多。相较之下,台厂虽然努力在投片量上追赶,但制程进度上仍旧是败阵。

力晶12寸晶圆厂已开始满载投片,短期内不用筹资转进50奈米制程的花费,追随尔必达(Elpida)的脚步,专心放在65奈米和Extra 65奈米制程上,以成本竞争力来看,虽然还追不上三星的50奈米制程,但至少可以缩短与海力士(Hynix)间的竞争距离。

南亚科和华亚科虽然誓言要转进50奈米制程,但真正放量的时间点要到2010年才见到,南亚科目前先转入68奈米制程试水温,等到良率顺之后,华亚科2010年在大量转进50奈米制程,届时会是台厂中制程转换至50奈最快的业者,但距离三星的脚步,仍有一段距离在。

茂德2010年开始为尔必达代工DDR3芯片,但茂德原本采用海力士的技术和设备,现在要转到尔必达技术且做代工,必须要购买新机台设备,未来如何找到资金来添置机台设备,是市场关注焦点;再者,何时取得自有技术来源,是一个关注重点。

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